1200°C二通道混气高真空CVD系统_CVD系统_其它高温炉_产品展示

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1200°C二通道混气高真空CVD系统

产品详情

型号：OTF-1200X-III-HVC

产品概述：OTF-1200X-III-HVC是由OTF-1200X-III三温区管式炉，二路质子混气系统和高真空机组组成。其最高工作温度可达1200℃，极限真空度可达 10-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导入到管式炉内部。

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技术参数实验案例警示/应用提示配件详情

设备名称

• 1200°C二通道混气高真空CVD系统-OTF-1200X-III-HVC （2019.12.12—科晶实验室审核）

产品提示

科晶实验室邀请提示 图片未及时更新提示 多种配件可选提示 危险设备操作提示

主要特点

• 高熔点物质能够在低温下合成

• 可生长单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种物质

• 不仅可以在基片上进行生长，还可以在粉体表面生长

• 双层壳体结构，便带有风冷系统，使得壳体表面温度小于55度

• 内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命

• 三个温区，可以独立控温

基本参数

一、加热炉

• 温度：1100℃（1200℃＜1h）

• 总加热长度: 900mm (300mm + 300mm + 300mm)

• 升温速率：≤10℃/min

• 三个精密温度控制器分别控制三个温区

• 恒温精度：±1℃

• 热偶：K型热偶

• 电源：AC208-240 50/60Hz

• 功率：最大7KW

二、供气系统

产品	二通道	三通道	四通道	五通道	九通道
工作温度	5-45℃	5-45℃	5-45℃	5-45℃	5-45℃
最大压力	3*10^6 Pa	3*10^6 Pa	3*10^6 Pa	3*10^6 Pa	3*10^6 Pa
精度	±1.5% FS	±1.5% FS	±1.5% FS	±1.5% FS	±1.5% FS
重复精度	±0.2%FS	±0.2%FS	±0.2%FS	±0.2%FS	±0.2%FS
流量范围	一路：1~199 SCCM 二路：1~199 SCCM	一路：0~100 SCCM 二路：1~199 SCCM 三路：1~499 SCCM	一路：0~100 SCCM 二路：1~199 SCCM 三路：1~199 SCCM 四路：1~499 SCCM	一路：0~100 SCCM 二路：1~199 SCCM 三路：1~199 SCCM 四路：1~499 SCCM 五路：1~499 SCCM	3路:0~100SCCM 3路:1~199SCCM 3路:10~1000SCCM
注意	其他流量范围的可定制（0~100 、1~200 、1~500 、1~1000 、1~2000 、1~5000 SCCM），需额外费用				五-九路可按照客户要求定制

三、高真空机组

产品	国产分子泵	爱德华分子泵
抽气速率	·N2 33 L/s ·He 39 L/s ·H2 32 L/s	·N2 42 L/s ·He 49 L/s ·H2 45 L/s
系统极限真空度	<1E-4 Pa (配和本公司管式炉使用可达到1E-2Pa)	<1E-6 Pa (配和本公司管式炉使用可达到1E-4Pa)
分子泵组成	RVP-4机械泵和F-100/110分子泵	隔膜泵和斡旋分子泵
使用电压和功率	电压：200~240V 输出功率：150W	电压：185-265V 输出功率：100W
移动壳体尺寸:	600(L)x600(W)x750(H)mm	600(L)x600(W)x750(H)mm